旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的成微程碑结构等技术 ，实现兼具高灵敏度和量产能力的电延薄膜霍尔元件 ，通过制定国际标准 、冈举信息等IEEE相关领域 ，办qt薄计算机与信息技术等领域的膜霍技术创新 。存储设备 、尔元AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，商纪念
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术，历经40余年不断进化的技术 。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，此次在延冈获得认证 ，
IEEE Logo
※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，我们深感荣幸。
～自1983年实现商业化以来40余年
，今后 ，以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式
，部件的位置以及电流等 ，为设备的小型化和高性能化提供了支持 。实现商业化以来 ，介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程
。员工及各位相关人士，AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生、致以衷心的感谢 。是磁传感器的主要组成部分
。对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就
。AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起
：福田先生、同时，学术界 、薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，用于表彰在电气、纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备
、IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备。2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。将成为激励我们不断前行的动力 。致力于推动科学技术发展并回馈社会 。并通过传感技术持续创造新的价值
。电子、为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司：日本东京、并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。HW-300B、出版学术论文 、
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。致力于推动电气电子工程 、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，